gan功率元件市场规模至2025年将达8.5亿美元

电力电子行业封装材料的供应商贺利氏电子（heraeus electronics ），已加入美国电力研究所(poweramerica institute），以推进宽带隙 (wbg) 半导体的使用。

heraeus electronics 的技术专长和 power america institute 的行业联系将加速新材料的开发并支持电力电子行业的扩张。此次合作将使下一代碳化硅和氮化电力电子产品更快向市场，降低与新一代技术相关的成本和风险因素。

11月，加拿大公司gan systems---与德国汽车大厂bmw已就---氮化(gan)晶体管产能达成协议，其产量预期能---该车厂的供应链稳定。

该公司---jim witham在接受访问时表示，gan systems将会为多种应用提供一系列产能。

后，gan技术本身也在不断取得突破。8月，novel crystal technology, inc---已成功将其高ga2o3外延片制造技术扩大到100mm。这意味着ga2o3功率器件现在可以在100mm的量产线上生产。

在异常耀眼的手机快充之外，gan也开始渗透进电动车、无线充电、5g基础设施等领域，而sic等其他半导体材料也在朝这些领域扩展。所以，与其他第三代材料构成竞争或互补的关系，将是gan未来几年的发展走向。

强强联手，英特尔与三星将展开多项芯片合作

在2022年5月30日的上午，samsung（三星）副董事长李在镕与英特尔ceo尼克松在首尔举办了一次会面。

samsung（三星）和英特尔在积体电路行业的竞争---。各方探讨了在许多行业的协作，包含下一代储存芯片、半导体代工生产，系统芯片，以及半导体制造工厂等。

这两个处理器财阀间的和谈在很小水平之上是由英国---促进的。由于---近参访了三伴星半导体的积体电路厂房，------期望---和英国能在积体电路行业建立经贸同盟。

据韩媒体---，这两家处理器财阀间的同盟也被视作英国---和---尹锡月日前在高峰会之上提及的积体电路同盟的一个范例，预定这将促进---和英国在积体电路产业的更余协作，有利于平稳国际性物流和积体电路产业的转型。

台积电透露，2纳米制程工艺将使用gaafet架构

根据台积电近期在技术研讨会北美专场分享的制程技术发展蓝图及未来计划，其初始3纳米节点（n3）有望于今年下半年开始量产，并从明年初交付给客户。此外，台积电未来几年还将推出多种n3衍生制造工艺。

2纳米制程工艺方面，台积电透露，n2工艺节点将使用gaafet架构，计划在2025年投产。